国产功率半导体通往崛起之路,华微电子加大研发力度

  在我国,功率半导体器件广泛的应用于工业、新能源、军工等领域,具有非常重要的作用,但由于中国起步较晚,在技术上跟国外有很大的差异,因此进口依赖性较强,导致中国半导体企业发展受限。不过在市场的推动下,以华微电子为代表的功率半导体企业迎来新的发展机遇,将发挥自身产业优势,助力半导体国产化替代加速。

  在过去的多年发展中,突破技术难关,提升产品质量,实现进口替代,一直是国产功率半导体行业发展方向。

  早在1956年,我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术即被列为当时国家新技术四大紧急措施之一,此后的半个世纪中,西方国家严格的技术封锁情况下,中国半导体产业在诸多方面与国外仍有较大差距。

  在一大批舍身忘我的半导体人和有担当责任民族企业努力下,从无到有,建立相对完整的半导体工业体系,也是他们不折不挠地奋斗下,国产功率半导体与国际一流技术水平差距在缩小,已经逐渐打破国外大厂的垄断。

  成立于1965年的吉林华微电子股份有限公司正是这样一家民族企业,经过半个多世纪的耕耘和积累,华微电子培育一批掌握功率半导体核心技术的专业技术人才,具备从二三级管、可控硅、MOSFET到IGBT和IPM模块的全系列功率器件产品,在大功率产品上完全可以替代进口品牌,部分产品性能已经达到国际先进水平。

  1965年9月,华微电子的前身吉林市半导体厂应运而生,1965年12月24日,经过八天九夜连续奋战,28位创业者在职工浴池里铺成的生产线上,试制成功第一批硅整流二极管,填补了吉林省晶体管生产的空白。

  在六五、七五、八五期间,华微电子先后实施三期技术改造,从美国、日本、瑞士等七国先后引进具20世纪90年代初国际先进水平的关键工艺装备,是当时国际上制造高反压大功率晶体管芯片普遍采用的工艺设备。

  现如今,华微电子的产品已经覆盖功率半导体全部产品类别,形成IGBT、MOSFET、SBD、FRD、SCR、BJT、IPM、LED IC等八大系列产品。

  华微电子认为,产品创新、技术进步是发展的动力。华微电子一直重视研发和技术人才培养,是国家级企业技术中心,国家创新型企业、国家博士后科研工作站,公司每年对试验室进行可持续投入,以提升自主创新能力建设。

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